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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT 详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3） 型号：STL11N3LLH6 仓库库存编号：497-11099-1-ND 别名：497-11099-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STL11N3LLH6 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-PowerVDFN |
| 其它有关文件 | STL11N3LLH6 View All Specifications |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Tpcb） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat?（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 497-11099-2 |
