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STMicroelectronics - STI24NM65 - MOSFET，N沟道，650V，19A，I2PAK - STI24NM65
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STI24NM65
制造商型号： STI24NM65
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，650V，19A，I2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间80 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs70 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2500 pF V @ 50
安装类型通孔
封装类型I2PAK
引脚数目3
最大功率耗散160 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压710 V
最大漏源电阻值0.19 Ω
最大连续漏极电流19 A
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N

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