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| STI21N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STI21N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STI21N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube - Rail/Tube (Alt: STI21N65M5) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STI21N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STI21N65M | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，650V，17A，I2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK 详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK 型号：STI21N65M5 仓库库存编号：497-11328-5-ND 别名：497-11328-5 | 无铅 |
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PDF查询| 典型栅极电荷@Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1950 pF @ 100 V | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 封装类型 | I2PAK | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 10.75mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.179 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 10.7 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 10.75mm |
