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STMicroelectronics - STH260N6F6 - MOSFET，N沟道，60V，180A，H2PAK - STH260N6F6
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MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

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MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK

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MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

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MOSFET POWER MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 6-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH260N6F6-6)

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH260N6F6-2)

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Bulk (Alt: STH260N6F6-2)

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  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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STH260N6F6-6
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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

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MOSFET, N CH, 75V, 180A, H2PAK

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H2PAK HC 2-3 LEADS

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N-Channel 60 V 2.4 mOhm SMT STripFET VI DeepGate Power Mosfet - H2PAK-6

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STMicroelectronics - STH260N6F6-6 - MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6

型号：STH260N6F6-6
仓库库存编号：497-15144-1-ND
别名：497-15144-1 <br>

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STMicroelectronics - STH260N6F6-2 - MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK

型号：STH260N6F6-2
仓库库存编号：497-11217-1-ND
别名：497-11217-1 <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STH260N6F6-2 - STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH260N6F6-2, 180 A, Vds=60 V, 3引脚 H2PAK-2封装
制造商零件编号：
STH260N6F6-2
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
761-0525
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STH260N6F6-2
STMICROELECTRONICS STH260N6F6-2		2098252

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V

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无图STH260N6F6
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，180A，H2PAK
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STH260N6F6-2|STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
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STH260N6F6-2|STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
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STH260N6F6
制造商型号： STH260N6F6
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，60V，180A，H2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
典型关断延迟时间144.4 ns
典型接通延迟时间31.4 ns
典型栅极电荷@Vgs183 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds11400 pF @ 25 V
安装类型表面贴装
宽度10.4mm
封装类型H2PAK-2
尺寸15.8 x 10.4 x 4.8mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散300 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值2 米Ω
最大连续漏极电流180 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度15.8mm
高度4.8mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STH260N6F6
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: 暂无相关型号
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