PDF查询| 典型关断延迟时间 | 99.9 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 25.6 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 114.6 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 6665 pF @ 25 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | H2PAK-2 | |
| 尺寸 | 15.8 x 10.4 x 4.8mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 315 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 4.8mm |
