PDF查询| 数据列表 | STH110N10F7-(2,6) |
|---|---|
| 产品相片 | STH110N10F7-2 |
| 其它有关文件 | STH110N10F7-2 View All Specifications |
| 特色产品 | STMicro - STP310N10F7 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | StripFET™ VII， DeepGATE™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 110A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A， 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5500pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 2-SMD |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-13549-2 STH110N10F72 |
