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STMicroelectronics - STGP19NC60SD - IGBT N-CH 600V 20A TO-220 - STGP19NC60SD
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STMicroelectronics

IGBT 600V 40A 130W TO220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube (Alt: STGP19NC60SD)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STGP19NC60SD)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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STMicroelectronics - STGP19NC60SD - IGBT 600V 40A 130W TO220
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 130W TO220

详细描述:IGBT Through Hole TO-220

型号:STGP19NC60SD
仓库库存编号:497-7013-5-ND
别名:497-7013-5 <br>

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STGP19NC60SD|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STGP19NC60SD
制造商型号: STGP19NC60SD
制造商: STMicroelectronics
描述: IGBT N-CH 600V 20A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 STG(F,P)19NC60SD
产品相片 t820t-6i
其它有关文件 STGP19NC60SD View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列PowerMESH™
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)1.9V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50A
Current - Collector Pulsed (Icm)80A
功率 - 最大值125W
Switching Energy995µJ
输入类型标准
Gate Charge54.5nC
Td (on/off) A 25°C17.5ns/175ns
Test Condition480V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)31ns
封装/外壳TO-220-3
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220
产品目录页面1544 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-7013-5

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