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STF10N65K3 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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STF10N65K3![]() | 2098194 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 3 V ![]() | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP 详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP 型号:STF10N65K3 仓库库存编号:497-12562-5-ND 别名:497-12562-5 <br>STF10N65K3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | STx(x)10N65K3 |
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产品相片 | TO-220FP |
其它有关文件 | STF10N65K3 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SuperMESH3™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 10A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1 欧姆 @ 3.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1180pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-12562-5 STF10N65K3-ND |