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STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B - STE53NC50
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STE53NC50|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STE53NC50
制造商型号： STE53NC50
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SOT-227B
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 53A
  • 漏源电压, Vds: 500V
  • 在电阻RDS（上）: 80mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 460W
  • 封装类型: ISOTOP
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 460W
  • 功耗, Pd: 460W
  • 外宽: 25.4mm
  • 外部深度: 38mm
  • 外部长度/高度: 12.2mm
  • 安装孔中心距: 31.6mm
  • 封装/箱盒: ISOTOP
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 54A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 500V
  • 电压, Vgs 最高: 3V
  • 电流, Idm 脉冲: 212A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 80mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
  • 隔离电压: 2.5kV
产地： IT Italy

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STE53NC50
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