PDF查询| 数据列表 | STD830CP40 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-DIP |
| 其它有关文件 | STD830CP40 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 18 @ 700mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 8-DIP |
| 其它名称 | 497-12244 |
