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STMicroelectronics - STD6N52K3 - MOSFET N-CH 525V 5A DPAK - STD6N52K3
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MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

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MOSFET N-channel 525 V MDMesh

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Trans MOSFET N-CH 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD6N52K3)

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 525V, 3A, 70W, DPAK

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STMicroelectronics - STD6N52K3 - MOSFET N-CH 525V 5A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 525V 5A（Tc） 70W（Tc） DPAK

型号：STD6N52K3
仓库库存编号：497-10118-1-ND
别名：497-10118-1
无铅
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STD6N52K3|STMicroelectronics
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STD6N52K3
制造商型号： STD6N52K3
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 ST(B,D,F,P)6N52K3
产品相片 TO-263
其它有关文件 STD6N52K3 View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)525V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）5A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值70W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装D-Pak
产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-10118-2

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