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STMicroelectronics - STD616AT4 - 两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor - STD616AT4
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STD616AT4|STMicroelectronics
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STD616AT4
制造商型号： STD616AT4
制造商： STMicroelectronics
描述： 两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:1000 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V
发射极 - 基极电压 VEBO:12 V
最大直流电集电极电流:1.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:17
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252
最大功率耗散:20000 mW
最小工作温度:- 65 C
封装:Reel
工厂包装数量:2500

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