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STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - 场效应管 MOSFET N D-PAK - STD10NF10T4
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MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

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MOSFET N-Ch 100 Volt 10 Amp

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R (Alt: STD10NF10T4)

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R (Alt: STD10NF10T4)

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: STD10NF10T4)

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, N CH, 100V, 13A, DPAK

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 9A, 50W, DPAK

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STD10NF10T4|STMicroelectronicsSTD10NF10T4
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
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STMicroelectronics - STD10NF10T4 - MOSFET N-CH 100V 13A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 50W（Tc） D-Pak

型号：STD10NF10T4
仓库库存编号：497-3153-1-ND
别名：497-3153-1 <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STD10NF10T4 - STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD10NF10T4, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
STD10NF10T4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
760-9531
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STD10NF10T4
STMICROELECTRONICS STD10NF10T4		1175682

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

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STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET N D-PAK
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STD10NF10T4|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STD10NF10T4
制造商型号： STD10NF10T4
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 13A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 130mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 50W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: D-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 13A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 52A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地： SG Singapore

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