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STMicroelectronics - STD100N10F7 - MOSFET N CH 100V 80A DPAK - STD100N10F7
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STD100N10F7|STMicroelectronics
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STD100N10F7
制造商型号: STD100N10F7
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 ST(D,F,P)100N10F7
其它有关文件 STD100N10F7 View All Specifications
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列StripFET™ VII, DeepGATE™
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8 毫欧 @ 19A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4390pF @ 25V
功率 - 最大值120W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK
其它名称497-13548-1
497-13548-1-ND
497-13548-5

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