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STMicroelectronics - STB19NB20 - MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp - STB19NB20
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STB19NB20 STMicroelectronics TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,19A I(D),TO-263AA365
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STB19NB20T4 STMicroelectronics 19 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB50
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STB19NB20
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STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp

RoHS: Not compliant

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STB19NB20
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ST-Semiconductors of Indiana Inc

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AA

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STB19NB20T4
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STMicroelectronics

19 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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STB19NB20T4
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STMicroelectronics

19 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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无图STB19NB20
STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
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STB19NB20|STMicroelectronicsSTB19NB20
STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
Rohs

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STB19NB20|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB19NB20
制造商型号: STB19NB20
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:STMicroelectronics
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:19 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):180 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK
封装:Tube
下降时间:10 ns
最小工作温度:- 60 C
功率耗散:125 W
上升时间:15 ns
工厂包装数量:50

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