| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II RoHS: Compliant | 搜索 |
| STB18NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13 A MDmesh RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB18NM60ND) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB18NM60ND [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 600 V 0.29 Ohm 130 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STB18NM60 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，600V，13A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STB18NM60 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，600V，13A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | STB18NM60N STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| STB18NM60ND Stmicroelectronics | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STB18NM60N STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK 型号：STB18NM60ND 仓库库存编号：497-13829-1-ND 别名：497-13829-1 <br> | | 搜索 |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK 型号：STB18NM60N 仓库库存编号：497-10297-1-ND 别名：497-10297-1 <br> | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STB18NM60ND 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 791-9267 | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.285 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |
