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STMicroelectronics - PD55003STR - 射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp - PD55003STR
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PD55003STR-E
[更多]		 STMicroelectronics

RF MOSFET Transistors POWER R.F.

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - PD55003STR-E - FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10		STMicroelectronics
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 500MHz 17dB 3W PowerSO-10RF (Straight Lead)

型号：PD55003STR-E
仓库库存编号：PD55003STR-E-ND
 无铅
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PD55003STR-E|STMicroelectronicsPD55003STR-E
STMicroelectronics		IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Rohs

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STMicroelectronics		IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
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PD55003STR|STMicroelectronicsPD55003STR
STMicroelectronics		射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp
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无图PD55003STR
STMicroelectronics		射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp
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PD55003STR|STMicroelectronics
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PD55003STR
制造商型号： PD55003STR
制造商： STMicroelectronics
描述： 射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS:否
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:1 GHz
增益:17 dB at 500 MHz
输出功率:3 W
汲极/源极击穿电压:40 V
漏极连续电流:2.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:PowerSO-10RF (Straight Lead)
封装:Reel
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:31.7 W
产品类型:RF MOSFET Power
工厂包装数量:600

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