STMicroelectronics - NAND256W3A2BN6E - 闪存 NAND 256 MEG - NAND256W3A2BN6E
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NAND256W3A2BN6E
制造商型号:
NAND256W3A2BN6E
制造商:
STMicroelectronics
描述:
闪存 NAND 256 MEG
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
闪存
RoHS:
符合
数据总线宽度:
8 bit
存储类型:
NAND Flash
存储容量:
256 Mbit
结构:
Sectored
接口类型:
Parallel
电源电压-最大:
3.6 V
电源电压-最小:
2.7 V
最大工作电流:
20 mA
工作温度:
+ 85 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP
封装:
Tray
组织:
16 KB x 2048
工厂包装数量:
96
旗下站点
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相关详细信息:
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型号: NAND256W3A2BN6E 品牌: STMicroelectronics 备注: 闪存 NAND 256 MEG
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Q Q:
800152669
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