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STMicroelectronics - MJD45H11T - Transistor,bipolar,silicon,Complementary,Power,PNP,8A,80V,DPAK,MJD45H11T4 - MJD45H11T
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MJD45H11T
制造商型号: MJD45H11T
制造商: STMicroelectronics
描述: Transistor,bipolar,silicon,Complementary,Power,PNP,8A,80V,DPAK,MJD45H11T4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型DPAK
尺寸2.4 x 6.6 x 6.2mm
引脚数目3
晶体管类型PNP
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散20 W
最大发射极-基极电压5 V
最大基极-发射极饱和电压1.5 V
最大直流集电极电流8 A
最大集电极-发射极电压80 V
最大集电极-发射极饱和电压1 V
最大集电极-基极电压80 V
最小直流电流增益40 V
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别双极功率
配置
长度6.6mm
高度2.4mm

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