| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 2N3439UA [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| JANTXV2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 2N3439 [更多] | Central Semiconductor Corp | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 Box RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| JANS2N3439UA [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA RoHS: Compliant | 搜索 |
| JANS2N3439UA [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA RoHS: Compliant | 搜索 |
| 2N3439UA [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| JANTXV2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| JANTXV2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| JANTX2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | 2N32XX Series NPN 350 V 1 A Through Hole Low Power Silicon Transistor - TO-39 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| JAN2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | 2N32XX Series NPN 350 V 1 A Through Hole Low Power Silicon Transistor - TO-39 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 2N3439 [更多] | Central Semiconductor Corp | 2N3439 Series 350 V 1 A NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-39 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 2N3439 [更多] | STMicroelectronics | 2N3439 Series 350 V 1 W NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-39 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| JANS2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-39 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| JANTXV2N3439 [更多] | Microsemi Corporation | JANTXV Series 350 V 1 A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 2N343 | STMicroelectronics | 晶体管，NPN，1A，350V，hfe 40-160，TO-39，2N3439 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | 2N343 STMicroelectronics | 晶体管，NPN，1A，350V，hfe 40-160，TO-39，2N3439 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3430 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3431 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3432 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3433 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 2N3435 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3436 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3437 MOTOROLA | New original 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | 2N3439 STMicroelectronics | TRANS NPN 350V 1A TO-39 | 查价格库存 查看详细 |
 | 2N3439 Microsemi | TRANSISTOR NPN 350V 1A TO39 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Central Semiconductor Corp THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15MHz Through Hole TO-39 型号：2N3439 仓库库存编号：2N3439CS-ND 别名：2N3439CS <br> | | 搜索 |
| Microsemi Corporation TRANS NPN 350V 1A UA 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Surface Mount 型号：2N3439UA 仓库库存编号：2N3439UA-ND | | 搜索 |
| STMicroelectronics TRANS NPN 350V 1A TO-39 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 15MHz 1W Through Hole TO-39 型号：2N3439 仓库库存编号：497-2576-5-ND 别名：497-2576-5 <br> | 无铅 | 搜索 |
| Microsemi Corporation TRANS NPN 350V 1A TO-5 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5 型号：2N3439L 仓库库存编号：2N3439L-ND | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | - TRANSISTOR, SILICON; NPN; 350VCE; 450VCB; 7VEB; 1A ICC; 0.5A IB; 10 W @25 C 型号：2N3439 仓库库存编号：70014171 |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| 2N343 STMicroelectronics | 晶体管，NPN，1A，350V，hfe 40-160，TO-39，2N3439 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2N3439 MULTICOMP | 晶体管 NPN 1A 350V TO39 | 查价格库存 查看详细 |
 | 2N3439 STMicroelectronics | TRANS NPN 350V 1A TO-39 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 9.4mm | |
| 封装类型 | TO-39 | |
| 尺寸 | 6.6 x 9.4 x 9.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 10 W | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.3 V | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 350 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 300 V | |
| 最小直流电流增益 | 30 V | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 最高工作频率 | 15 MHz | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 双极功率 | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 高度 | 6.6mm |
