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SEMISOUTH - SJDP120R085 - 场效应管 JFET N沟道 常开 1200V 27A TO247 - SJDP120R085
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SJDP120R085|SEMISOUTH
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SJDP120R085
制造商型号： SJDP120R085
制造商： SEMISOUTH
描述： 场效应管 JFET N沟道 常开 1200V 27A TO247
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 JFET N沟道 常开 1200V 27A TO247
  • 晶体管类型: 结型场效应晶体管（JFET）
  • 击穿电压: 1200V
  • 栅极源极截断电压, Vgs 最大值: -5V
  • 功耗, Pd: 114W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-247
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 功耗, Pd: 114W
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 零闸极电压漏极电流, Idss: -

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