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SEMIKRON - SK50GD126T - 晶体管 IGBT模块 6单元 68A 1200V 沟槽(Trench)技术 - SK50GD126T
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SK50GD126T|SEMIKRON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SK50GD126T
制造商型号： SK50GD126T
制造商： SEMIKRON
描述： 晶体管 IGBT模块 6单元 68A 1200V 沟槽(Trench)技术
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 晶体管 IGBT模块 6单元 68A 1200V 沟槽(Trench)技术
  • 集电极直流电流: 68A
  • 饱和电压, Vce sat 最大: 2.1V
  • 电压, Vceo: 1.2kV
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SEMITOP 4
  • 针脚数: 70
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 5.6ns
  • 下降时间: 5.6ns
  • 封装/箱盒: SEMITOP 4
  • 工作温度范围: -40°C 至 +150°C
  • 最大连续电流, Ic: 68A
  • 模块配置: 六
  • 电压, Vces: 1.2kV
  • 电流, Icm 脉冲: 100A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -40°C
  • 表面安装器件: 螺丝
  • 饱和电压 Vce sat 典型值: 1.7V
产地： IT Italy

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