SEMELAB - D2012UK - 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP - D2012UK
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- 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP - D2012UK
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场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
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D2012UK
制造商:
SEMELAB
描述:
场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
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深圳原厂原装现货
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代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
晶体管类型: RF FET
漏源电压, Vds: 65V
电流, Id 连续: 4A
功??, Pd: 42W
最低工作频率: 1MHz
最高工作频率: 500MHz
封装类型: DP
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗最大值: 42W
工作频率范围: 1MHz 至 500MHz
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型号: D2012UK 品牌: SEMELAB 备注: 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
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