SEMELAB - BUZ906D - 场效应管 MOSFET P TO-3 - BUZ906D
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- 场效应管 MOSFET P TO-3 - BUZ906D
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BUZ906D
制造商型号:
BUZ906D
制造商:
SEMELAB
描述:
场效应管 MOSFET P TO-3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P TO-3
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 16A
???源电压, Vds: 200V
在电阻RDS(上): 750mohm
阈值电压, Vgs th 典型值: -1.5V
功耗, Pd: 250W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-3
针脚数: 2
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 250W
功耗, Pd: 250W
封装/箱盒: TO-3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: -16A
电压, Vds 典型值: -200V
电压, Vgs 最高: -14V
表面安装器件: 通孔
产地: GB United Kingdom
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
BUZ906D
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www.szcwdz.com.cn
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