PDF查询| 典型关断延迟时间 | 37（N 通道）ns，53（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11（N 通道）ns, 11（P 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ -10 V（P 沟道），8.5 nC @ 10 V（N 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 370 pF @10 V（N 沟道），510 pF @-10 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | VEC 8 | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30（N 通道）V，-30（P 通道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 168（P 通道）mΩ，99（N 通道）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -3（P 通道）A，4（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 通用 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.75mm |
