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Sanyo - ECH8609-TL - 半导体,晶体管,MOSFET,ECH8609-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.3W,ECH8 - ECH8609TL
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ECH8609-TL
制造商型号: ECH8609-TL
制造商: Sanyo
描述: 半导体,晶体管,MOSFET,ECH8609-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.3W,ECH8
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间43(N 通道)ns、65(P 通道)ns
典型接通延迟时间13(P 通道)ns、15(N 通道)ns
典型栅极电荷@Vgs11 nC @ 10 V(N 通道)、14 nC @ -10 V(P 通道)
典型输入电容值@Vds510 pF @ 10 V(N 通道)、550 -10 pF @ V(P 通道)
安装类型表面贴装
宽度2.3mm
封装类型ECH 8
尺寸2.9 x 2.3 x 0.9mm
引脚数目8
最大功率耗散15 瓦
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30(N 通道)V、-30(P 通道)V
最大漏源电阻值120(P 通道)mΩ、75(N 通道)mΩ
最大连续漏极电流-4(P 通道)A、6(N 通道)A
最高工作温度+150°C
每片芯片元件数目2
类别开关
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度2.9mm
高度0.9mm

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