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Rohm Semiconductor - US6J11TR - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 - US6J11TR
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US6J11TR|Rohm Semiconductor
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US6J11TR
制造商型号: US6J11TR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 US6J11
产品相片 SOT-363 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)290pF @ 6V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装UMT6

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