| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| UM6J1NTN [更多] | ROHM Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| UM6J1NTN [更多] | ROHM Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R (Alt: UM6J1NTN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| UM6J1NTN [更多] | ROHM Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R - Tape and Reel (Alt: UM6J1NTN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| UM6J1NTN [更多] | ROHM Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R (Alt: UM6J1NTN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| UM6J1NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
UM6J1NTN | 2706714 | ROHM 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -200 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V  (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | UM6J1NTN Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| UM6J1NTN Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6 型号：UM6J1NTN 仓库库存编号：UM6J1NTNCT-ND 别名：UM6J1NTNCT | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | UM6J1NTN Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | UM6J1N |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 产品目录绘图 | UM6K Series SOT-363 |
| 特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 30pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 产品目录页面 | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | UM6J1NTNTR |
