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Rohm Semiconductor - UM6J1NTN - MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 - UM6J1NTN
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MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 0.2A 6PIN

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R

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MOSFET, DUAL P-CH, -30V, SOT-363

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UM6J1NTN
ROHM UM6J1NTN
2706714

ROHM

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -200 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V

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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
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Rohm Semiconductor - UM6J1NTN - MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6

型号:UM6J1NTN
仓库库存编号:UM6J1NTNCT-ND
别名:UM6J1NTNCT
无铅
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UM6J1NTN|Rohm Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
UM6J1NTN
制造商型号: UM6J1NTN
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 UM6J1N
产品相片 SOT-363 PKG
产品目录绘图 UM6K Series SOT-363
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.4 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)30pF @ 10V
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装UMT6
产品目录页面1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称UM6J1NTNTR

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