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| SP8M7FU6TB [更多] | ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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 | Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP 型号：SP8M7FU6TB 仓库库存编号：SP8M7FU6TB-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SP8M7 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A，7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 51 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 230pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
