数据列表 | RSQ030P03 |
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产品相片 | TSMT6_TSMT6 Pkg |
产品目录绘图 | TSMT-6 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 440pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSMT6 |