数据列表 | RDR005N25 |
---|---|
产品相片 | SC-96 |
产品目录绘图 | RxR0 Series TSMT-3 |
特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 500mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | - |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-96 |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RDR005N25TLTR |