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ROHM Semiconductor - IMT18T110 - 两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN - IMT18T110
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TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

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Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN

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Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R

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Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R

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Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R (Alt: IMT18T110)

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Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R - Tape and Reel (Alt: IMT18T110)

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两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
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Rohm Semiconductor - IMT18T110 - TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6

型号:IMT18T110
仓库库存编号:IMT18T110-ND
无铅
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无图IMT18T110
ROHM Semiconductor
两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IMT18T110
制造商型号: IMT18T110
制造商: ROHM Semiconductor
描述: 两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:ROHM Semiconductor
RoHS: 符合
配置:Dual
晶体管极性:PNP
集电极—基极电压 VCBO:15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
最大直流电集电极电流:0.5 A
增益带宽产品fT:260 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:270 at 10 mA at 2 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:SMT
最大功率耗散:300 mW
最小工作温度:- 55 C
封装:Reel

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