PDF查询| 数据列表 | IMH21 |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 NPN 预偏压（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 820 @ 50mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMH21T110-ND IMH21T110TR |
