| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| EMH6T2R [更多] | ROHM Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| EMH6T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | EMH6T2R ROHM | 晶体管 双NPN 50V 0.03A EMT6  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Rohm Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 型号：EMH6T2R 仓库库存编号：EMH6T2RCT-ND 别名：EMH6T2RCT | 无铅 |
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| EMH6T2R ROHM | 晶体管 双NPN 50V 0.03A EMT6 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | EMH6, UMH6N, IMH6A |
|---|---|
| 产品相片 | EMT6_EMT6 PKg |
| 产品目录绘图 | EMT-6 Package Top |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 47k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 产品目录页面 | 1642 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | EMH6T2R-ND EMH6T2RTR |
