数据列表 | RJP6085DPK |
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产品相片 | TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A |
标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.5V @ 15V,40A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 40A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
功率 - 最大值 | 178.5W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | 30ns/60ns |
Test Condition | 300V, 40A, 5 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | RJP6085DPK00T0 |