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Renesas Electronics America - RJK60S5DPK-M0#T0 - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PSG - RJK60S5DPKM0T0
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RJK60S5DPK-M0#T0|Renesas Electronics America
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RJK60S5DPK-M0#T0
制造商型号: RJK60S5DPK-M0#T0
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PSG
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 RJK60S5DPK-M0
产品相片 TO-3PSG
特色产品 SuperJunction (SJ) MOSFETs
标准包装  100
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)178 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1600pF @ 25V
功率 - 最大值192.3W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3PSG
供应商器件封装TO-3PSG
其它名称RJK60S5DPKM0T0

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