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Renesas Electronics America - HAT2173N - MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I - HAT2173N
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HAT2173N|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
HAT2173N
制造商型号: HAT2173N
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
产品相片 8-PowerSOIC; PTSP0008DC-A
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15.3 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4350pF @ 10V
功率 - 最大值30W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供应商器件封装8-LFPAK-iV

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: HAT2173N
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