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ROHM - US6M1TR - ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6 - US6M1TR
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US6M1TR|ROHM
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US6M1TR
制造商型号： US6M1TR
制造商： ROHM
描述： ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 380mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
  • 功耗, Pd: 1W
  • 封装类型: TUMT
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 6ns
  • 下降时间: 8ns
  • 功耗, Pd: 1W
  • 功耗, Pd: 1W
  • 封装/箱盒: TUMT6
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 1.4A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电容值, Ciss 典型值: 70pF
  • 电流, Idm 脉冲: 4A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 1.4A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: 1A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.17ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.28ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
产地： TH Thailand

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