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ROHM - US5U3TR - 场效应管 MOSFET N VGS=-2.5V - US5U3TR
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US5U3TR|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
US5U3TR
制造商型号： US5U3TR
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET N VGS=-2.5V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N VGS=-2.5V
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.5A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 340mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
  • 功耗, Pd: 700mW
  • 封装类型: TUMT
  • 针脚数: 5
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 9ns
  • 下降时间: 6ns
  • 封装/箱盒: TUMT5
  • 晶体管类型: 被保护的MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 2.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电容值, Ciss 典型值: 80pF
  • 电流, Idm 脉冲: 6A
  • 表面安装器件: SMD
  • 针脚配置: 1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 500mV
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1.5V
产地： TH Thailand

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: US5U3TR
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