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ROHM - UM5K1NTR - 场效应管 开关MOSFET UMT5 - UM5K1NTR
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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UM5K1NTR ROHM Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT50
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UM5K1NTR
[更多]		 ROHM Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
UM5K1NTR
[更多]		 ROHM Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 5-Pin UMT T/R (Alt: UM5K1NTR)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
UM5K1NTR
[更多]		 ROHM Semiconductor

ROHM UM5K1NTR Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.1 A, 30 V, 5-Pin UMT

RoHS: Compliant

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(工作日)		 操作
UM5K1NTR ROHM 场效应管 开关MOSFET UMT5 查看库存、价格及货期
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UM5K1NTR|ROHMUM5K1NTR
ROHM		场效应管 开关MOSFET UMT5
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
UM5K1NTR|Rohm SemiconductorUM5K1NTR
Rohm Semiconductor		MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
Rohs

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Rohm Semiconductor - UM5K1NTR - MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353		Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 100mA 150mW Surface Mount UMT5

型号：UM5K1NTR
仓库库存编号：UM5K1NCT-ND
别名：UM5K1NCT
无铅
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ROHM Semiconductor - UM5K1NTR - 5-Pin UMT 30 V 0.1 A ROHM UM5K1NTR Dual N-channel MOSFET Transistor|70666536 | ChuangWei Electronics		ROHM Semiconductor
ROHM UM5K1NTR Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.1 A, 30 V, 5-Pin UMT

型号：UM5K1NTR
仓库库存编号：70666536

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UM5K1NTR|ROHMUM5K1NTR
ROHM		场效应管 开关MOSFET UMT5
Rohs

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UM5K1NTR|Rohm SemiconductorUM5K1NTR
Rohm Semiconductor		MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
Rohs

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UM5K1NTR|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
UM5K1NTR
制造商型号： UM5K1NTR
制造商： ROHM
描述： 场效应管 开关MOSFET UMT5
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 开关MOSFET UMT5
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 10mA
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 8ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
  • 功耗, Pd: 150mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: UMT
  • 针脚数: 5
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: UMT5
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 小信号
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 100mA
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟??: 100mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 5ohm
产地： JP Japan

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