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ROHM - RUR040N02TL - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSMT3 - RUR040N02TL
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RUR040N02TL|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
RUR040N02TL
制造商型号： RUR040N02TL
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSMT3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSMT3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 4A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 0.025ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 功耗, Pd: 1W
  • 封装类型: TSMT
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)

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