ROHM - RTR020P02TL - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A TSMT3 - RTR020P02TL
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- 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A TSMT3 - RTR020P02TL
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RTR020P02TL
制造商型号:
RTR020P02TL
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A TSMT3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A TSMT3
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 2A
漏源电压, Vds: -20V
在电阻RDS(上): 135mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
功耗, Pd: 1W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TSMT
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: TSMT3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 功率MOSFET
漏极电流, Id 最大值: -2A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: -12V
表面安装器件: SMD
产地: JP Japan
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
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型号: RTR020P02TL 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A TSMT3
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Q Q:
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