ROHM - RTQ040P02TR - 场效应管 MOSFET P 20V 4A - RTQ040P02TR
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RTQ040P02TR
制造商型号:
RTQ040P02TR
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET P 20V 4A
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET P 20V 4A
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 4A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 85mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
功耗, Pd: 1.25W
封装类型: TSMT
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: TSMT6
晶体管类型: 增强
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
电压, Vds 典型值: -20V
电流, Idm 脉冲: 16A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最低: -0.7V
阈值电压, Vgs th 最高: -2V
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
RTQ040P02TR
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型号: RTQ040P02TR 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET P 20V 4A
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