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ROHM - RTM002P02T2L - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 0.2A VMT3 - RTM002P02T2L
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RTM002P02T2L|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
RTM002P02T2L
制造商型号： RTM002P02T2L
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 20V 0.2A VMT3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 20V 0.2A VMT3
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -200mA
  • 漏源电压, Vds: -20V
  • 在电阻RDS（上）: 1ohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 功耗, Pd: 150mW
  • 封装类型: VMT
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)

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