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ROHM - RTE002P02TL - 场效应管 MOSFET 开关型 EMT3 - RTE002P02TL
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Rohm Semiconductor - RTE002P02TL - MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416

详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3

型号:RTE002P02TL
仓库库存编号:RTE002P02TLCT-ND
别名:RTE002P02TLCT
无铅
RTE002P02TL|ROHM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RTE002P02TL
制造商型号: RTE002P02TL
制造商: ROHM
描述: 场效应管 MOSFET 开关型 EMT3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 开关型 EMT3
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 200mA
  • 漏源电压, Vds: -20V
  • 在电阻RDS(上): 1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 150mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: EMT
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: EMT3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: -200mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs 最高: -12V
  • 表面安装器件: SMD
产地: JP Japan

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