创唯电子
ROHM - RSS065N03FU6TB - 场效应管 MOSFET N 30V 6.5A - RSS065N03FU6TB
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > ROHM - RSS065N03FU6TB - 场效应管 MOSFET N 30V 6.5A - RSS065N03FU6TB
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
RSS065N03FU6TB|ROHM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RSS065N03FU6TB
制造商型号: RSS065N03FU6TB
制造商: ROHM
描述: 场效应管 MOSFET N 30V 6.5A
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 30V 6.5A
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 6.5A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 19mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
  • 功耗, Pd: 2W
  • 封装类型: SOP
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOP-8
  • 晶体管类型: 被保护的MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电流, Idm 脉冲: 26A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 19mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 27mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
产地: CN China

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: RSS065N03FU6TB
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: 暂无相关型号
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号