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ROHM - QS6J1TR - 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V - QS6J1TR
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QS6J1TR|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
QS6J1TR
制造商型号： QS6J1TR
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 1.5A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 430mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 封装类型: TSMT
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 12ns
  • 下降时间: 20ns
  • 封装/箱盒: TSMT6
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 2.5V
  • 电压, Vds 典型值: -20V
  • ??容值, Ciss 典型值: 270pF
  • 电流, Idm 脉冲: 6A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -1.5A
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.155ohm
  • 针脚配置: 1(G1),2(S2),3(G2),4(D2),5(S1),6(D1)
  • 阈值电压, Vgs th 最低: -0.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: -2V
产地： KR Korea (Republic of)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: QS6J1TR
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