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ROHM - EM6K1T2R - 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道 - EM6K1T2R
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EM6K1T2R|ROHM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
EM6K1T2R
制造商型号： EM6K1T2R
制造商： ROHM
描述： 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 10mA
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 8ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
  • 功耗, Pd: 150mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: EMT
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: EMT6
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 小信号
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 100mA
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 100mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 5ohm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: EM6K1T2R
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