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RENESAS - RQK2001HQDQA#H6 - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.4A SC-59A - RQK2001HQDQAH6
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RQK2001HQDQA#H6|RENESAS
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RQK2001HQDQA#H6
制造商型号： RQK2001HQDQA#H6
制造商： RENESAS
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.4A SC-59A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.4A SC-59A
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 400mA
  • 漏源电压, Vds: 200V
  • 在电阻RDS（上）: 5ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 800mW
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 2A - 4星期
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)

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