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RENESAS - RQJ0306FQDQA#H6 - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 3A SC-59A - RQJ0306FQDQAH6
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RQJ0306FQDQA#H6
RENESAS RQJ0306FQDQA#H6		2135181

RENESAS

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.075 ohm, -4.5 V

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RENESAS		场效应管 MOSFET P沟道 30V 3A SC-59A
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RQJ0306FQDQA#H6|RENESAS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
RQJ0306FQDQA#H6
制造商型号： RQJ0306FQDQA#H6
制造商： RENESAS
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 30V 3A SC-59A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 30V 3A SC-59A
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -3A
  • 漏源电压, Vds: -30V
  • 在电阻RDS（上）: 0.075ohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 功耗, Pd: 800mW
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 2A - 4星期
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)

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